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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201710068804.9有效
发明人：丁有光;赵炫珉;裵水斌;崔新逸 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；布置在基板上的数据线；布置在基板上并且在平面图中与数据线隔开的缓冲层；布置在缓冲层上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括氧化物半导体层；以及连接到薄膜晶体管的像素电极。
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201710300350.3有效
发明人：金成虎;金东源;许宗茂 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括基底和被设置在基底的表面上的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括彼此被设置在同一层上的半导体、源电极和漏电极。半导体在源电极和漏电极之间。薄膜晶体管阵列面板进一步包括被设置在半导体和基底之间并且包括无机绝缘材料的缓冲层。
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201610190504.3有效
发明人：宁洪龙;徐苗;王磊;李珊 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板。所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板；扫描线；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有背沟道刻蚀结构，所述薄膜晶体管包括：栅极；半导体层，所述半导体层中的半导体材料是锡硅氧化物；源极；以及漏极；其中，在所述背沟道刻蚀结构中本发明能有效提高薄膜晶体管中的半导体层的耐刻蚀性，能够有效保护所述薄膜晶体管中的背沟道，以防止所述背沟道损伤，从而提高所述薄膜晶体管的稳定性。
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201210009563.8在审
发明人：俞炯硕;金周汉;李制勋;金圣训;李政奎;郑敞午 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；定位在基板上的栅线；与栅线交叉的数据线；连接至栅线和数据线的薄膜晶体管；在薄膜晶体管的栅电极与薄膜晶体管的半导体之间的栅绝缘层；连接至薄膜晶体管的像素电极；以及定位在像素电极与薄膜晶体管之间的钝化层，其中，栅绝缘层和钝化层中的至少一个包括氮化硅层，并且氮化硅层包括小于2×1022原子数/cm3或4原子％的氢含量。
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201710729724.3在审
发明人：河载兴;金锺佑;文智永;吴敏镐;李承宰;赵尹衡;朱宁澈;金亨俊;朴殷吉;韩尚辰 -专利权人：三星显示有限公司;首尔大学校产学协力团
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：公开了一种薄膜晶体管阵列面板。所述薄膜晶体管阵列面板包括基底、栅极绝缘层、界面层和半导体层。栅极绝缘层设置在基底上。界面层设置在栅极绝缘层上。半导体层设置在界面层上。界面层包括氟化氧化硅。
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201410392255.7有效
发明人：崔泰荣;金保成;朴在佑;卞喜准;李永旭;崔汶根 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括：栅线；数据线，与栅线绝缘并且交叉栅线；以及短接条，设置在显示区域外侧，在显示区域中栅线交叉数据线。
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201810729658.4在审
发明人：李骏熙;裵寅浚 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：公开了薄膜晶体管阵列面板，根据示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板包括基板、定位在基板上的金属图案、定位在金属图案上的缓冲层以及定位在缓冲层上并且包括源极区域、沟道区域和漏极区域的半导体层，其中，金属图案与源极区域和漏极区域中的至少一个重叠
金属图案薄膜晶体管阵列面板沟道区域漏极区域源极区域缓冲层基板半导体层

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201310003701.6在审
发明人：金暻鍱;金柄范;朴俊龙;郑敞午;寗洪龙;李东敏 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括：半导体层，设置在绝缘基底上；栅电极，与半导体层叠置；源电极和漏电极，与半导体层叠置；第一阻挡层，设置在源电极和半导体层之间；以及第二阻挡层，设置在漏电极和半导体层之间，其中，第一阻挡层和第二阻挡层包括镍
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201010210445.4有效
发明人：金彰洙;金湘甲;秦洪基;吴旼锡;崔熙焕;金时烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN200480020243.6有效
发明人：姜承载 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-07-14 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，该面板包括：第一和第二栅极线，将栅极信号传输至相邻的像素行并彼此相邻设置；数据线，与第一和第二栅极线以及数据线绝缘；第一薄膜晶体管，连接到第一栅极线和数据线并包括与第二栅极线叠置的第一漏极电极；第二薄膜晶体管，连接至第二栅极线和数据线，关于数据线与第一晶体管相对地设置，并包括与第一栅极线叠置的第二漏极电极；第一像素电极，连接至第一漏极电极并与第二栅极线叠置；第二像素电极，连接至第二电极并与第一栅极线叠置
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201010570100.X有效
发明人：郑敞午;孙宇成;金东奎;金时烈;李基晔;宋溱镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上。
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]一种薄膜晶体管阵列的制造方法-CN201210220755.3无效
发明人：王亚平 -专利权人：广州市恩正电子科技有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管阵列的制造方法。本发明所述制造方法包括以下步骤：在一套掩模板绘制能在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列图案；根据所绘制图案在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列；根据需要将所制造的薄膜晶体管阵列切割成一个面积较大的薄膜晶体管阵列或者分割为若干个面积较小的薄膜晶体管阵列本发明提高了较大面积而生产数量较少的薄膜晶体管阵列的生产效率，降低了较大面积薄膜晶体管阵列面板的不良率，并可使用较小面积薄膜晶体管阵列面板工艺、材料制造较大面积薄膜晶体管阵列面板，由此减低大面积面板成本
一种薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管阵列的制造方法-CN201110203366.5无效
发明人：王亚平;张亚美 -专利权人：王亚平;张亚美
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管阵列的制造方法。本发明所述制造方法包括以下步骤：在一套掩模板绘制能在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列图案；根据所绘制图案在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列；根据需要将所制造的薄膜晶体管阵列切割成一个面积较大的薄膜晶体管阵列或者分割为若干个面积较小的薄膜晶体管阵列本发明提高了较大面积而生产数量较少的薄膜晶体管阵列的生产效率，降低了较大面积薄膜晶体管阵列面板的不良率，并可使用较小面积薄膜晶体管阵列面板工艺、材料制造较大面积薄膜晶体管阵列面板，由此减低大面积面板成本
一种薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]显示面板、显示面板的制备方法及显示终端-CN202111174945.1在审
发明人：崔巍 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示终端，其中，所述显示面板包括阵列基板以及多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管设置在所述阵列基板的一侧，每个所述薄膜晶体管包括多个层，其中，所述多个薄膜晶体管中至少一个薄膜晶体管为垂直晶体管，所述垂直晶体管的各层沿与所述阵列基板垂直的方向层叠设置。本申请通过将显示面板中的多个薄膜晶体管中至少一个薄膜晶体管为垂直晶体管，并将所述垂直晶体管的各层沿与所述阵列基板垂直的方向层叠设置，能够缩小显示面板中薄膜晶体管的尺寸，进而提高显示面板的穿透率和开口率，改善显示面板在显示画面时出现的黑线问题。
显示面板制备方法终端

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN200410070282.9有效
发明人：柳在镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-08-04 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片；第一信号线，在该绝缘基片上形成；第二信号线，与第一信号线绝缘交叉；第一像素电极，在每个第一信号线和第二信号线交叉限定的像素形成；薄膜晶体管，三端子分别与第一信号线利用这种薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器显示出改良的侧面可见度且具有广视角。
薄膜晶体管阵列面板

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